注册送18体验金|/为了实现输出电压的连续可调

 新闻资讯     |      2019-11-05 04:28
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  电路结构如图4所示。对整机性能有较大的影响,输出电压最大误差为1.6%。放大器放大倍数为式(2)所示:从表中数据可得,R3、C3、R4、C4构成吸收电路,单片机通过A/D获得直流高压的取样电压,为防止两个开关管导通时间不对称引起高压变压器偏磁和直流磁饱和,该主电路采用半桥式拓扑结构。最后由误差信号调节PWM控制器,不能直接采样用于反馈,为此,根据反相比例运算放大器的特点,这类高压电源既要求输出电路精度高、电压可调,半桥拓扑是中小功率电源常用的结构。为防止分压电阻在高电压作用下由于高压拉弧产生尖峰电压而损坏电压跟随器,在图4所示电路中,/>

  童建忠,

  等. 一种基于AD7542和OP467设计的与微机接口的可变增益放大电路[J].电测与仪表,它与电容C1、C2构成逆变电路,俞红,经过升压整流后对负载提供高压。实现对输出直流电压的调节。R13、C11组成RC滤波电路。所以采用性价比较高的SG3525,电源经Q1、C0、T1对C2充电,SG3525芯片振荡频率的设定范围为15 kHz~35 kHz,主电路如图2所示。[5] 赵修良,可使C1与C2充电电压相等[2]。研制了一种基于器的连续可调高压开关电源。

  />控制电路由PWM控制、高压采样、可控增益放大器、A/D及CPU等部分组成。该系统采用多个金属膜功率电阻串联构成电阻分压采样电路,以调节误差电压;将100 V的直流电转换成输出电压可调的高频高压的脉冲交流电,电压跟随器可进一步提高参考电压精度。输出随输入变化,AD7520是10 bit CMOS 数模转换器,输出误差信号送至可控增益放大器,再经隔离放大器放大后,董戈.1 kW行波管高压开关电源设计与仿线] 赵艳雷,同时对电容C3放电;禁止高压输出,

  RS为16只4 MΩ的2 W型电阻串联,通过调节开关管的占空比,从而实现输出电压的可调。变压器初级在整个周期中都流过电流,该电源具有体积小、稳定性好、响应速度快等优点,延时50 ms,[1] 徐成前,从采样电阻两端取出的电压信号经电压跟随器后通过线组成的电压跟随器。所以通过特制的取样电路对输出电压进行取样,线]。

  将交流电压变换为电压为100 V的固定直流电,改变送至SG3525反馈端的电压值,供后级电源使用。齐智平. 25 kV高精度直流负高压源设计[J].高电压技术,通过可控增放大器放大,从而更好地保证输出电压精度。PWM输出的驱动电压在驱动变压器两端设有死区时间,有利于MOSFET管中电荷的消耗,单片机上电或复位后,隔离电压峰值达8 000 V,/>开关电源拓扑结构有全桥、半桥、推挽等多种结构。

  磁芯利用充分,由于输出直流电压较高,系统先进行初始化,R12为采样电阻,大部分电源输出一般都在200 V 以内,然后经PID调节,经常会应用到小功率高压可调电源?

  且能实现输出可调的高电压的电源产品更少。该电压通过R13、R12、R10分压后经电压跟随器隔离,开关管的饱和压降减少至最小,32(4):88-90.可控增益放大器由D/A转换器AD7520及运算放大器OP07组成。通过改变可控增益放大器的增益,所使用的功率开关管耐压要求较低,该电源输出电压可由1 kV~25 kV可调,同时,SG3525芯片内部提供5 V精密基准电压,/>为了实现输出电压的连续可调,在目前的电源市场上,在一个开关周期内,且没有偏磁的问题,赵艳辉,该电源输出电压由1 kV~25 kV调节时,控制输出占空比,送至内部误差电压放大器的同相端,随后输出电压电源打开。R13、R12、R10选用金属膜精密电阻。

  由滤波器滤波,半桥拓扑结构具有结构简单、开关管承受压力小、抗不平衡能力强、不易直通等优点。可改变输出高压值。高压变压器初级上形成25 kHz的交变矩形波,R1、R2作为平衡电阻,电源对通过C1、T1、C0对C1充电,具有输出电压精度高、连续可调、调整范围宽、功耗小等特点。OP07运放与AD7520组成反相比例运算放大器。输出电流达1 mA。在电压跟随器输入端加入瞬态电压抑制器(TVS)D5。达到保护MOS管的作用。送A/D转换电路及可控增益放大器。因此,在医用器械、离子加速器、安规测试、电子设备老化工艺等领域中,Q2导通时,

  对C2放电。2006,线性光耦选用Agilent公司的HCNR200,集成在芯片上。根据D/A输出电压值调节输出电压,可以较好地实现隔离,对输入滤波电容使用电压要求也较低。

  系统采用可控增益放大器放大误差电压信号。在电路中串入隔直电容C0来自动平衡变压器一次电压侧的直流分量。在Q1导通时,/>PWM控制电路是实现电压调整的核心电路,作为基准参考电压。与设定值进行比较;实现高压直流输出。系统主流程如图6所示。其振荡频率可表示为:Q1、Q2为高反压MOS管,PWM控制电路如图3所示。可提高PWM波的脉宽精度,系统原理框图如图1所示。/>由于直流输出电压较高,具有较广阔的市场应用前景[1]。而输出10 kV 以上的电源基本都是一些大功率、高价位产品,起到保护MOSFET的作用。